標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：450mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 270mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：8.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：140pF @ 25V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
其它名稱：*IRFD214PBF