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標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：-

包裝：管件

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：1A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：540 毫歐 @ 600mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：8.3nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：180pF @ 25V

功率 - 最大值：1.3W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

其它名稱：*IRFD110IRFD111IRFD112