標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：270 毫歐 @ 780mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：16nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：360pF @ 25V
功率 - 最大值：1.3W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
其它名稱：*IRFD123PBF