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IRFD024
規(guī)格信息：

FET 類(lèi)型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.5A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：25nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：640pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 1.5A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封裝/外殼：4-DIP

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IRFD024

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFD024	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)	IRF[International Rectifier]	172.17 Kbytes	共6頁(yè)	SBF50P10-023L,IRLD024,SHD224701,JANTX2N6802,SHD225701,SHD244702,STB80NF55-06,MMDF3P03HD,MMSF5N02HD,2SK3520-01MR	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRFD024_10	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1273.97 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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