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封裝/外殼：PG-TO252-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650V

Id-連續(xù)漏極電流：3.2A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.26Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：10.5nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：28W

通道模式：Enhancement

封裝：CutTape

高度：2.3mm

長(zhǎng)度：6.5mm

系列：CoolMOSC6

晶體管類型：1N-Channel

寬度：6.22mm

下降時(shí)間：18.2ns

MXHTS：85412999

上升時(shí)間：5.9ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33ns

典型接通延遲時(shí)間：7.7ns

商標(biāo)名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs