FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：7.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：557pF @ 100V
功率耗散（最大值）：63W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 2.4A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：PG-TO252-3
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：5.6A
Rds On-漏源導通電阻：600Ohms
配置：Single
商標名：CoolMOS
封裝：CutTape
高度：2.3mm
長度：6.5mm
系列：CoolMOSP6
晶體管類型：1N-Channel
寬度：6.22mm
封裝/外殼：PG-TO252-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs