制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PG-TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:13 A
Rds On-漏源導通電阻:190 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:23 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:72 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:CoolMOS
封裝:Cut Tape
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長度:6.5 mm
系列:CoolMOS C7
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
商標:Infineon Technologies
下降時間:9 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:11 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:54 ns
典型接通延遲時間:11 ns
零件號別名:IPD65R190C7ATMA1 SP000928648
單位重量:800 mg