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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-26-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:3 A

Rds On-漏源導通電阻:120 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:17.7 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.92 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:ZXMN6

晶體管類型:1 P-Channel

商標:Diodes Incorporated

正向跨導 - 最小值:4.7 S

下降時間:11.3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3.4 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:26.2 ns

典型接通延遲時間:2.6 ns