包裝：3SOT-23
渠道類型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：3.4 A
RDS -于：80@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導通延遲時間：1.3 ns
典型上升時間：2.6 ns
典型關(guān)閉延遲時間：49 ns
典型下降時間：22 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標準包裝：Tape & Reel
單位包：3000
最小起訂量：3000
FET特點：Logic Level Gate, 4.5V Drive
封裝：Tape & Reel (TR)
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.8A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設(shè)備封裝：SOT-23
其他名稱：ZXMP3F30FHTADI
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：950mW
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：370pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS：7nC @ 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
RoHS：RoHS Compliant
連續(xù)漏極電流：3.4 A
柵源電壓（最大值）：?20 V
功率耗散：1.4 W
漏源導通電阻：0.08 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：SOT-23
引腳數(shù)：3
極性：P
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：1
工作溫度分類：Military
漏源導通電壓：30 V
弧度硬化：No