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制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:2.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:125 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:24.2 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.25 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
系列:ZXMP6A
晶體管類(lèi)型:2 P-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:7.2 S
下降時(shí)間:10 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:4.1 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns
典型接通延遲時(shí)間:3.5 ns
單位重量:74 mg
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