封裝/外殼:--
Packing Type:WAFER SAWN
Technology:OptiMOS? 3
Budgetary Price ?€/1k:2.49
Mode:Enhancement
VGS(th) min max:2.0V 4.0V
VDS:200 V
RDS (on):9.4m?
Die Size (Y):6.7 mm
Die Size (X):4.5 mm
Thickness:250
Die Size (Area):30.15 mm2
EAS/Avalanche Energy:45.0mJ
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
IPC302N20NFD
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPC302N20NFD | OptiMOSa?¢3 Power MOS Transistor Chip | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 917.38 Kbytes | 共3頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| IPC302N20NFDX1SA1 | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL | Infineon Technologies | 911.73 Kbytes | 共3頁 | 產(chǎn)品購買 |
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