封裝/外殼：--
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60V
Id-連續(xù)漏極電流：1mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.7mOhms
配置：Single
高度：4.4mm
長度：10mm
系列：IPC218N06
晶體管類型：1N-Channel
寬度：9.25mm
Packing Type：WAFER SAWN
Technology：OptiMOS? 3
Budgetary Price ?€/1k：1.51
VGS(th) min max：2.0 V 4.0 V
Mode：Enhancement
VDS：60 V
RDS (on)：1.3m?
Die Size (-) min max：3.7 mm2 5.9 mm2
Die Size (Y)：5.9 mm
Die Size (X)：3.7 mm
Thickness：205
Die Size (Area)：21.83 mm2
EAS/Avalanche Energy：500.0mJ
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs