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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PICOSTAR-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.2 A

Rds On-漏源導通電阻:65 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.75 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:11 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:PicoStar

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.35 mm

長度:1.53 mm

系列:CSD18541F5

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:0.77 mm

商標:Texas Instruments

下降時間:496 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:540 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:1076 ns

典型接通延遲時間:572 ns

單位重量:0.700 mg