制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:169 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.2 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:44 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:250 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Tube
高度:16.51 mm
長度:10.67 mm
系列:CSD18532KCS
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.7 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:187 S
下降時間:5.6 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:5.3 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:24.2 ns
典型接通延遲時間:7.8 ns
單位重量:6 g