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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VSONP-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導通電阻:6.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.9 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:29 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.2 W

配置:Single

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長度:6 mm

系列:CSD18533Q5A

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.9 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導 - 最小值:122 S

下降時間:2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:5.5 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:5.2 ns