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- 供應(yīng)商
- 型號
- 品牌
- 封裝
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- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IPD80R2K0P7ATMA1 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.19 Mbytes
- PDF文件頁數(shù)：共13頁
- 描述：MOSFET
IPD80R2K0P7ATMA1技術(shù)規(guī)格
- 系列：CoolMOS? P7
- 濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：175pF @ 500V
- 功率耗散（最大值）：24W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 940mA，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PG-TO252-3
- 在線目錄：N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：800V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9nC
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：175pF
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：500V
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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