系列：CoolMOS? P7
濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：175pF @ 500V
功率耗散（最大值）：24W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 940mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PG-TO252-3
在線目錄：N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：175pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：500V
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs