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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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IPD65R420CFDATMA2 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：1.65 Mbytes
- PDF文件頁數(shù)：共22頁
- 描述：MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
IPD65R420CFDATMA2技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TO-252-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
- Id-連續(xù)漏極電流:8.7 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:420 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:31.5 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:83.3 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:CoolMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:Reel
- 系列:CFD2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:8 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:7 ns
- 工廠包裝數(shù)量:2500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:38 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:10 ns
- 零件號(hào)別名:IPD65R420CFD
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IPD65R420CFDATMA2相關(guān)型號(hào)
