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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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IPD65R950CFDBTMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?45.10 Kbytes
- PDF文件頁數：共15頁
- 描述：MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
IPD65R950CFDBTMA1技術規(guī)格
- 數據列表：IPD65R950CFD
- 標準包裝：2,500
- 類別：分立半導體產品
- 家庭：FET - 單
- 系列：CoolMOS??
- 包裝：帶卷（TR）
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓（Vdss）：650V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.9A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：950 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 200µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：14.1nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：380pF @ 100V
- 功率 - 最大值：36.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：PG-TO252
- 其它名稱：IPD65R950CFDBTMA1TR
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