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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

晶體管極性:N-Channel

技術:Si

Id-連續(xù)漏極電流:42 A

Vds-漏源極擊穿電壓:180 V

增益:25 dB

輸出功率:300 W

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Box

工作頻率:30 MHz

工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C

類型:RF Power MOSFET

商標:Microchip / Microsemi

正向跨導 - 最小值:8 mS

Pd-功率耗散:648 W

產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:40 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.6 V