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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類(lèi):射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Id-連續(xù)漏極電流:6 A

Vds-漏源極擊穿電壓:170 V

增益:16 dB

輸出功率:30 W

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

工作頻率:175 MHz

工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C

類(lèi)型:RF Power MOSFET

商標(biāo):Microchip / Microsemi

Pd-功率耗散:115 W

產(chǎn)品類(lèi)型:RF MOSFET Transistors

工廠包裝數(shù)量:1

子類(lèi)別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:40 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.6 V