制造商:Qorvo
產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS:是
晶體管類型:HEMT
技術(shù):GaN SiC
增益:13 dB
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:32 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 2.7 V
Id-連續(xù)漏極電流:326 mA
輸出功率:6 W
最大工作溫度:+ 225 C
Pd-功率耗散:8.4 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:QFN-16
封裝:Tray
配置:Single
高度:0.203 mm
長度:3 mm
工作頻率:DC to 12 GHz
類型:GaN SiC HEMT
寬度:3 mm
商標:Qorvo
通道數(shù)量:1 Channel
開發(fā)套件:TGF2977-SMEVB1
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:Transistors
零件號別名:1127257
單位重量:57.100 mg