制造商:Qorvo
產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS:是
晶體管類型:pHEMT
技術(shù):GaAs
增益:14 dB
Vds-漏源極擊穿電壓:8 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 15 V
Id-連續(xù)漏極電流:58 mA
最大漏極/柵極電壓:12 V
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:640 mW
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝:Gel Pack
配置:Single
工作頻率:20 GHz
工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C
產(chǎn)品:RF JFET
系列:TGF
類型:GaAs pHEMT
商標(biāo):Qorvo
正向跨導(dǎo) - 最小值:70 mS
NF—噪聲系數(shù):1 dB
P1dB - 壓縮點(diǎn):22 dBm
產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors
工廠包裝數(shù)量:100
子類別:Transistors
零件號別名:1098412