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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:29 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:80.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

資格:AEC-Q101

封裝:Tube

系列:STW36NM60ND

晶體管類型:1 N-Channel

商標:STMicroelectronics

下降時間:61.8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:53.4 ns

工廠包裝數(shù)量:600

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:111 ns

典型接通延遲時間:30 ns

單位重量:38 g