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制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:24 A
Rds On-漏源導通電阻:130 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:43 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:MDmesh
系列:STW33N60DM2
商標:STMicroelectronics
下降時間:9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:8 ns
工廠包裝數(shù)量:600
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:62 ns
典型接通延遲時間:17 ns
單位重量:38 g
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