產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標(biāo)準(zhǔn)包裝：95
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：6.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：41 毫歐 @ 6.2A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：80nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：3220pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO