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產(chǎn)品種類(lèi)MOSFET
晶體管極性N-Channel
汲極/源極擊穿電壓400 V
閘/源擊穿電壓+/- 30 V
漏極連續(xù)電流3.3 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)1.75 Ohms
配置Single
最大工作溫度+ 150 C
安裝風(fēng)格Through Hole
封裝 / 箱體TO-220
封裝Tube
下降時(shí)間35 ns
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值)0.4 S
最小工作溫度- 55 C
功率耗散49 W
上升時(shí)間35 ns
工廠包裝數(shù)量50
典型關(guān)閉延遲時(shí)間35 ns
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