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IPW65R150CFD
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:22.4 A

Rds On-漏源導通電阻:135 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:86 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:195.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:CoolMOS

封裝:Tube

高度:21.1 mm

長度:16.13 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.21 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:5.6 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7.6 ns

工廠包裝數(shù)量:240

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:52.8 ns

典型接通延遲時間:12.4 ns

零件號別名:IPW65R150CFDFKSA1 IPW65R15CFDXK SP000907038

單位重量:38 g

IPW65R150CFD

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFD	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	3823.85 Kbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFD	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.29 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFDA	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2195.25 Kbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFDAFKSA1	MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3	Infineon Technologies	2.14 Mbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFDAFKSA1	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3	Infineon Technologies	2.14 Mbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFDFKSA1	MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3	Infineon Technologies	3.74 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFDFKSA1	MOSFET N-CH 650V TO247	Infineon Technologies	3.74 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPW65R150CFDFKSA2	HIGH POWER_LEGACY	Infineon Technologies	3.74 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買

IPW65R150CFD相關型號PDF文件資料

IPW65R150CFD相關型號規(guī)格信息

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