封裝/外殼：PG-TO247-3
RoHS：Y
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續(xù)漏極電流：31.2A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：99mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：118nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：277.8W
通道模式：Enhancement
封裝：Tube
高度：21.1mm
長(zhǎng)度：16.13mm
系列：CoolMOSCFD2
晶體管類型：1N-Channel
寬度：5.21mm
下降時(shí)間：6ns
MXHTS：85412999
上升時(shí)間：11ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：68ns
典型接通延遲時(shí)間：16ns
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3240pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：277.8W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：110 毫歐 @ 12.7A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：31.2A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：118nC @ 10V
漏源電壓（Vdss）：650V
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3
商標(biāo)名：CoolMOS
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs