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IPD60R180P7 PDF文件_規(guī)格信息

IPD60R180P7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：180.0m?

IDpuls max：53.0A

VDS max：600.0V

ID max：18.0A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.74K/W

QG：25.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.83

Ptot max：72.0W

Polarity：N

Qgd：8.0nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPD60R180P7

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.06 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7	600V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1213.72 Kbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	328.32 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7_V01	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	328.32 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7ATMA1	MOSFET	Infineon Technologies	1.12 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3	Infineon Technologies	1.12 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7ATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：18A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 280uA 漏源導(dǎo)通電阻：180mΩ @ 5.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：72W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.78 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7S	600V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1095.26 Kbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7S	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.07 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7SAUMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	920.30 Kbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R180P7SAUMA1	MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3	Infineon Technologies	1017.77 Kbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買