封裝/外殼：PG-TO263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續(xù)漏極電流：6A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：594mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：20nC
最小工作溫度：-40C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：62.5W
通道模式：Enhancement
封裝：CutTape
系列：CoolMOS
晶體管類型：1N-Channel
下降時間：10ns
上升時間：8ns
典型關(guān)閉延遲時間：40ns
典型接通延遲時間：9ns
Packing Type：TAPE & REEL
Moisture Level：1
RDS (on) max：660.0m?
IDpuls max：17.0A
VDS max：650.0V
ID max：6.0A
Technology：CoolMOS? CFDA
RthJC max：2.0 K/W
QG (typ @10V)：20.0 nC
Package：D2PAK (TO-263)
Budgetary Price ?€/1k：0.83
Ptot max：62.5W
Polarity：N
RthJA max：62.0K/W
VGS(th) min max：3.5 V 4.5 V
Special Features：automotive
Simulator：TINA
Language：PSpice
Encryption：no
Product Category：Power MOSFET HV CoolMOS?
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs