不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：870pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：83.3W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：420 毫歐 @ 3.4A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：PG-TO263-3
FET 類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：8.7A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 340μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：32nC @ 10V
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：8.7A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：420mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：4V
Vgs - 柵極-源極電壓：30V
Qg-柵極電荷：32nC
配置：Single
Pd-功率耗散：83.3W
商標(biāo)名：CoolMOS
封裝：CutTape
高度：4.4mm
長(zhǎng)度：10mm
系列：CoolMOSCFD2
晶體管類(lèi)型：1N-Channel
寬度：9.25mm
下降時(shí)間：8ns
上升時(shí)間：7ns
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs