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IPA65R420CFD
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:8.7 A

Rds On-漏源導通電阻:420 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:32 nC

Pd-功率耗散:31.25 W

配置:Single

商標名:CoolMOS

封裝:Tube

高度:16.15 mm

長度:10.65 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.85 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

零件號別名:IPA65R420CFDXKSA1 IPA65R42CFDXK SP000890322

單位重量:6 g

IPA65R420CFD

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA65R420CFD	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	270.11 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA65R420CFD	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	7647.83 Kbytes	共21頁	產(chǎn)品購買
IPA65R420CFD	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	4605.65 Kbytes	共21頁	產(chǎn)品購買
IPA65R420CFDXKSA1	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220	Infineon Technologies	4.48 Mbytes	共21頁	產(chǎn)品購買
IPA65R420CFDXKSA1	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220	Infineon Technologies	1.65 Mbytes	共22頁	產(chǎn)品購買
IPA65R420CFDXKSA2	MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther	Infineon Technologies	1.65 Mbytes	共22頁	產(chǎn)品購買
IPA65R420CFDXKSA2	LOW POWER_LEGACY	Infineon Technologies	1.65 Mbytes	共22頁	產(chǎn)品購買

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