FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：17.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 730μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：68nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1850pF @ 100V
功率耗散（最大值）：34W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 7.3A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220 整包
封裝/外殼：PG-TO220-3
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：17.5 A
最大漏源電壓：700 V
最大漏源電阻值：190 m0hms
最大柵閾值電壓：4.5V
最小柵閾值電壓：3.5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：TO-220FP
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：34 W
最高工作溫度：+150 °C
長度：10.36mm
高度：15.95mm
系列：CoolMOS CFD
正向二極管電壓：0.9V
晶體管材料：Si
最低工作溫度：-55 °C
典型輸入電容值@Vds：1850 pF @ 100 V
典型關(guān)斷延遲時間：53.2 ns
典型接通延遲時間：12 ns
寬度：4.57mm
尺寸：10.36 x 4.57 x 15.95mm
每片芯片元件數(shù)目：1
典型柵極電荷@Vgs：68 nC @ 10 V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs