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制造商:TT Electronics

產(chǎn)品種類(lèi):射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Id-連續(xù)漏極電流:2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:65 V

增益:10 dB

輸出功率:10 W

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DK

配置:Dual

工作頻率:1 GHz

類(lèi)型:RF Power MOSFET

商標(biāo):Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:58 W

產(chǎn)品類(lèi)型:RF MOSFET Transistors

工廠包裝數(shù)量:25

子類(lèi)別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V to 7 V