制造商:TT Electronics
產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
晶體管極性:N-Channel
技術:Si
Id-連續(xù)漏極電流:2 A
Vds-漏源極擊穿電壓:65 V
增益:13 dB
輸出功率:5 W
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DP
配置:Single
高度:5.08 mm
長度:18.92 mm
工作頻率:1 GHz
類型:RF Power MOSFET
寬度:6.35 mm
商標:Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散:29 W
產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量:25
子類別:MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V to 7 V