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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導通電阻:9.2 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.8 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:28 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:188 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Tube

高度:16.51 mm

長度:10.67 mm

系列:CSD19503KCS

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.7 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導 - 最小值:110 S

下降時間:2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:11 ns

典型接通延遲時間:7 ns

單位重量:6 g