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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

RoHS:否

商標:Infineon Technologies

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.1 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:420 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

最大工作溫度:+ 125 C

封裝 / 箱體:62 mm

柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V

最小工作溫度:- 40 C

安裝風格:Screw

Pd-功率耗散:1.4 kW

工廠包裝數(shù)量:10