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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Single Dual Emitter

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:290 A

最大工作溫度:+ 150 C

封裝 / 箱體:62 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V

最小工作溫度:- 40 C

安裝風(fēng)格:Screw

工廠包裝數(shù)量:10