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制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Vds-漏源極擊穿電壓:89 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT502B

封裝:Tube

最小工作溫度:- 65 C

工廠包裝數(shù)量:20

類型:RF Power MOSFET

零件號(hào)別名:BLF878,112