制造商:NXP
產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
商標(biāo):NXP Semiconductors
Id-連續(xù)漏極電流:20 A
Vds-漏源極擊穿電壓:89 V
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V
增益:22 dB at 858 MHz
輸出功率:24 W
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-467C
封裝:Bulk
最小工作溫度:- 65 C
工作頻率:1 GHz
類型:RF Power MOSFET
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.4 V