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制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Id-連續(xù)漏極電流:18 A

Vds-漏源極擊穿電壓:125 V

Rds On-漏源導通電阻:300 mOhms

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 200 C

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-262A

封裝:Tray

配置:Single

工作頻率:225 MHz

商標:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:500 W

產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors

子類別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:7 V

單位重量:30 mg