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制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

商標:NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:13 A

Vds-漏源極擊穿電壓:65 V

Rds On-漏源導通電阻:300 mOhms

晶體管極性:N-Channel

技術:Si

Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 20 V

增益:16.5 dB

輸出功率:30 W

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-119A

封裝:Bulk

最小工作溫度:- 65 C

工作頻率:224.25 MHz

Pd-功率耗散:130 W

工廠包裝數(shù)量:20

類型:RF Power MOSFET

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V

零件號別名:BLF346,112