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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ZXMP3F37N8 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大?。?99.29 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共8頁(yè)
- 描述：30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET
ZXMP3F37N8TA技術(shù)規(guī)格
- 包裝：8SO
- 渠道類型：P
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大連續(xù)漏極電流：8.5 A
- RDS -于：25@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：3.5 ns
- 典型上升時(shí)間：4.9 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：44 ns
- 典型下降時(shí)間：28 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
- 單位包：500
- 最小起訂量：1000
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 封裝：Tape & Reel (TR)
- 安裝類型：Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：6.4A (Ta)
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.5V @ 250μA
- 封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
- 其他名稱：ZXMP3F37N8TADI
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 7.1A, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：1.56W
- 漏極至源極電壓（Vdss）：30V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：1678pF @ 15V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：31.6nC @ 10V
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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