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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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ZXMP3F37N8 PDF資料
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- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大?。?99.29 Kbytes
- PDF文件頁數：共8頁
- 描述：30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET
ZXMP3F37N8TA技術規(guī)格
- 包裝：8SO
- 渠道類型：P
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大連續(xù)漏極電流：8.5 A
- RDS -于：25@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導通延遲時間：3.5 ns
- 典型上升時間：4.9 ns
- 典型關閉延遲時間：44 ns
- 典型下降時間：28 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Surface Mount
- 標準包裝：Tape & Reel
- 單位包：500
- 最小起訂量：1000
- FET特點：Logic Level Gate
- 封裝：Tape & Reel (TR)
- 安裝類型：Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：6.4A (Ta)
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.5V @ 250μA
- 封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 供應商設備封裝：8-SO
- 其他名稱：ZXMP3F37N8TADI
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 7.1A, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：1.56W
- 漏極至源極電壓（Vdss）：30V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：1678pF @ 15V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：31.6nC @ 10V
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
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