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- 品牌
- 封裝
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- 備注
- 詢價
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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ZXM64N035L3 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大?。?9.14 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共4頁
- 描述：35V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM64N035L3技術(shù)規(guī)格
- Rohs：Lead free / RoHS Compliant
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
- FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- FET特點：Standard
- 漏極至源極電壓（VDSS）：35V
- 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：3.5A
- Rds（最大）@ ID，VGS：60 mOhm @ 3.7A, 10V
- VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
- 柵極電荷（Qg）@ VGS：27nC @ 10V
- 輸入電容（Ciss）@?Vds的：950pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.5W
- 安裝類型
：Through Hole
- 包/盒
：TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
- 包裝材料
：Bulk
- 包裝：3TO-220
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：35 V
- 最大連續(xù)漏極電流：13 A
- RDS -于：60@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時間：4.2 ns
- 典型上升時間：4.5 ns
- 典型關(guān)閉延遲時間：20.5 ns
- 典型下降時間：8 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Through Hole
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Rail / Tube
- 最大門源電壓：±20
- 包裝寬度：10.66
- PCB：3
- 最大功率耗散：2000
- 最大漏源電壓：35
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最大漏源電阻：60@10V
- 每個芯片的元件數(shù)：1
- 最低工作溫度：-55
- 供應(yīng)商封裝形式：TO-220
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：TO-220
- 最高工作溫度：150
- 渠道類型：N
- 包裝長度：16.51
- 引腳數(shù)：3
- 包裝高度：4.82
- 最大連續(xù)漏極電流：13
- 封裝：Tape and Reel
- 標(biāo)簽：Tab
- FET特點：Standard
- 安裝類型：Through Hole
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：3.5A (Ta), 13A (Tc)
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220-3
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：60 mOhm @ 3.7A, 10V
- FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：1.5W
- 漏極至源極電壓（Vdss）：35V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：950pF @ 25V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：27nC @ 10V
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 工廠包裝數(shù)量：1000
- 產(chǎn)品種類：MOSFET
- 晶體管極性：N-Channel
- 配置：Single
- 源極擊穿電壓：+/- 20 V
- 連續(xù)漏極電流：13 A
- 安裝風(fēng)格：Through Hole
- RDS（ON）：70 mOhms
- 功率耗散：2 W
- 最低工作溫度：- 55 C
- 上升時間：4.5 ns
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 漏源擊穿電壓：35 V
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