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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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WNM2016-3/TR PDF資料
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- 制造商:WILLSEMI[Will Semiconductor Ltd.]
- PDF文件大?。?51.75 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共7頁
- 描述:N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET
WNM2016-3/TR技術(shù)規(guī)格
- 商品類型MOS(場效應(yīng)管)
- 漏源電壓(Vdss)20V
- 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))2.9A
- 柵源極閾值電壓1V @ 250uA
- 漏源導(dǎo)通電阻47mΩ @ 3.6A,4.5V
- 最大功率耗散(Ta=25°C)700mW
- 類型N溝道
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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