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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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VS-GT180DA120U PDF資料
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- 制造商：Vishay Semiconductors
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- PDF文件頁(yè)數(shù)：共10頁(yè)
- 描述：分立半導(dǎo)體模塊 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
VS-GT180DA120U技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Vishay
- 產(chǎn)品種類:分立半導(dǎo)體模塊
- RoHS:是
- 產(chǎn)品:Diode Power Modules
- 類型:IGBT Module
- Vf - 正向電壓:3 V
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOT-227-4
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 配置:Single
- 商標(biāo):Vishay Semiconductors
- 晶體管極性:N-Channel
- 下降時(shí)間:137 ns
- Id-連續(xù)漏極電流:100 A
- Pd-功率耗散:1087 W
- 產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules
- 上升時(shí)間:59 ns
- 工廠包裝數(shù)量:10
- 子類別:Discrete Semiconductor Modules
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:334 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:192 ns
- Vgs th-柵源極閾值電壓:5.8 V
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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