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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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TPH2R104PL,LQ PDF資料
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- 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
- PDF文件大小：480.27 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH2R104PL,LQ技術(shù)規(guī)格
- 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 系列U-MOSIX-H
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）40V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）100A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
- 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）2.1 毫歐 @ 50A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 500μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）78nC @ 10V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）6230pF @ 20V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）830mW（Ta），116W（Tc）
- 工作溫度175°C
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝8-SOP Advance（5x5）
- 封裝/外殼8-PowerVDFN
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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