篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
TPC6003(T5LDNSOF)
配單
直通車(chē)-
-
-
-
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
TPC6003(T5LDNSOF)
配單
直通車(chē)-
-
-
-
更多收回
TPC6003_07 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
- PDF文件大?。?36.45 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共7頁(yè)
- 描述：Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPC6003(TE85L,F)技術(shù)規(guī)格
- 類別：Power MOSFET
- 通道模式：Enhancement
- 渠道類型：N
- 配置：Quad Drain, Single
- 外形尺寸：2.9 x 1.6 x 0.7mm
- 身高：0.7mm
- 長(zhǎng)度：2.9mm
- 最大連續(xù)漏極電流：6 A
- 最大漏源電阻：0.024 Ω
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大門(mén)源電壓：±20 V
- 最高工作溫度：+150 °C
- 最大功率耗散：2.2 W
- 最低工作溫度：-55 °C
- 安裝類型：Surface Mount
- 每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
- 包裝類型：VS
- 引腳數(shù)：6
- 典型柵極電荷@ VGS：25 nC V @ 10
- 典型輸入電容@ VDS：1250 pF V @ 10
- 寬度：1.6mm
- 晶體管極性：:N Channel
- Continuous Drain Current Id：:6A
- Drain Source Voltage Vds：:30V
- On Resistance Rds(on)：:24mohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V
- Threshold Voltage Vgs：:2.5V
- 功耗：:2.2W
- Operating Temperature Max：:150°C
- Transistor Case Style：:SOT-23
- No. of Pins：:6
- MSL：:-
- SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)
- Current Id Max：:6A
- 端接類型：:SMD
- 晶體管類型：:Power MOSFET
- Voltage Vds Typ：:30V
- Voltage Vgs Max：:20V
- Voltage Vgs Rds on Measurement：:10V
- Weight (kg)：0.000008
- Tariff No.：85412900
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
TPC6003(T5LDNSOF)相關(guān)型號(hào)
